Hallo Zusammen,
wie ihr wahrscheinlich schon mitbekommen habt, interessieren mich Endstufen mit hoher Leistung.
Wenn das Ganze dann mit "Non Standard Röhren" und hoher Spannung verbunden ist, dann beginnt für mich persönlich der Entwicklerspaß.
Zu diesem Zweck hab ich mir ein Entwicklungschassis für Endstufen aufgebaut. Ich werde Stück für Stück verschiedene Varianten aufbauen und davon berichten.
Noch einmal ein Warnhinweis. Dies ist NICHTS zum "mal eben nachbauen" für den Anfänger.
Die Betriebsspannung dieser Endstufen kann beim Berühren locker in die Todeszone führen.
1. Variante: KT120 im Ultralinearbetrieb in der Nähe der definierten Grenzwerte sowie der Möglichkeit, mit Steuergitterstrom zu fahren.
Der aktuelle Schaltplan ist unten angehängt.
Um bei einer Anodenspannung von 800-850 V Ultralinearbetreib zu ermöglichen, habe ich mit einen Ausgangstrafo für 240 Watt mit getrennter Schirmgitterwicklung anfertigen lassen , die einem 20% und 40% Abgriff entsprechen.
Im Betrieb zeigt sich der 40% Abgriff bei 600V Gitterspannung als der effektivste Betrieb.
Steuergitterstrom und erlaubter Steuergitterleistung
Wenn wir eine Röhre mit Steuergitterstrom betreiben, verringert sich die Restspannung der Anode bei voller Durchsteuerung weiter. Im Ergebnis ist damit eine leicht erhöhte Ausgangsleistung möglich.Zur maximal erlaubten Steuergitterleistung gibt es sehr wenig Angaben in Datenblättern. Bei der FL152, einer Pentode mit 40W möglicher Anodenverlustleistung, wird eine maximale Steuergitterverlustleistung von 1W angegeben. Das bedeutet, daß beispielsweise bei 20V Gitterspannung ein Gitterstrom von 50 mA verlustleistungstechnisch erlaubt wäre, im Gegentakt sogar 100mA pro Halbwelle. Wir wären dann schon längst bei einem Rechteckausgangssignal bei einer Sinusansteuerung. Ergebnis: Die Steuergitterverlustleistung ist nicht das begrenzende Element.
Wie erzeuge ich den Steuergitterstrom?
ich habe mich für die einfache kostengünstige Variante entschieden: MOSFET Follower, z.B. BUZ50A. Die Schaltung ist relativ einfach:
- Gate an Kondensator hinter der PI Stufe, ebenso die Gittervorspannungserzeugung, Schutz Zenerdiode zur Source.
- Source über 100K an -250V, sodaß auch bei einer Gittervorspannung von -100V und Vollaussteuerung der MOSFET im Normalbetrieb bleibt.
- Drain an 200V
Demnächst mehr
Gruß Hans- Georg