Parallel zu Sekundärwicklung.
Kurz zum Hintergrund - Wenn die Diode schlagartig sperrt, wird der parasitärer Schwingkreis (bestehend aus leakage inductance / interwinding capacitance des Trafos) angeregt. Im Schaltplan sind die beiden rot markiert. Lleak durch ein Koppelfaktor ungleich 1 und die Kapazität parallel. Nicht ganz sauber, aber um das Prinzip zu beschreiben reichts.
Dieser Schwingkreis hat beim Ringkern konstruktionsbedingt eine sehr hohe Güte, sprich kann ungedämpft nachschwingen.
Den sollte man also dämpfen. Am einfachsten mit einem R.
100-300 Ohm zusätzliche Last wäre aber keine so gute Idee, deswegen baut man noch ein C (C4 = 200nF) in Reihe, um den Trafo zu entlasten.
Diese Kapazität sollte einfach mindestens Faktor 10 höher sein, als die paras. Kapazität des Trafos+Dioden-Kapazität, 100-200nF sind OK
Im Bild oben sieht man die Spannung an der Sekundärwicklung, einmal ohne Dämpfung (R2= 1G) - Blau, und mit (R2=300 Ohm) - Rot
Alle Werte sind frei erfunden
, das Prinzip passt aber.